Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB3077PBF, TO- 220AB, kanał N
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
370 W
R(DS) wł.
3.3 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
165 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
11,70 zł
10
8% = 0,88 zł
10,82 zł
25
11% = 1,23 zł
10,47 zł
50
12% = 1,46 zł
10,24 zł
100
15% = 1,72 zł
9,98 zł
250
17% = 2,02 zł
9,68 zł
500
21% = 2,40 zł
9,30 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (11,70 zł / Sztuka)
11,70 zł
14,39 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Tranzystor unipolarny (MOSFET)
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFB3077PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
120 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
75 V
- Moc (maks) P(TOT)
370 W
- R(DS) wł.
3.3 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
75 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
220 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
9400 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
50 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
75 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 160923 Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB3077PBF, TO- 220AB, kanał N
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 160923 Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRFB3077PBF, TO- 220AB, kanał N
Opis
Infineon Technologies IRFB3077PBF |