Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB3034PBF, TO- 220AB, kanał N

Dane techniczne

Model katalogowy producenta: IRLB3034PBF

Rodzaj produktu: MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika: TO-220AB

Producent: Infineon Technologies

Kod producenta: INF

Wykonanie: Kanał-N

I(d): 195 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 40 V

Moc (maks) P(TOT): 375 W

R(DS) wł.: 1.7 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on): 195 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V

U(GS)(th) max.: 2.5 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA

Q(G): 162 nC

Napięcie odniesienia Q(G): 4.5 V

C(ISS): 10315 pF

Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V

Minimalna temperatura robocza: -55 °C

Sposób montażu: do montażu w otworach

Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET®

Temperatura pracy (maks.): +175 °C

Cecha tranzystora: Poziom bramki logicznej

U(DSS): 40 V

Ilość kanałów: 1

Zawartość: 1 szt.

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 161162 Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB3034PBF, TO- 220AB, kanał N

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 161162 Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier, IRLB3034PBF, TO- 220AB, kanał N

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:

Tranzystory polowe MOSFET z kanałem N
Tranzystory polowe MOSFET z kanałem P