Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRLML0100TRPBF, SOT-23, kanał N
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
1.3 W
R(DS) wł.
220 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
2187 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Min.: 10
Suma (0,46 zł / Sztuka)
zł
0,57 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRLML0100TRPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
1.6 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
100 V
- Moc (maks) P(TOT)
1.3 W
- R(DS) wł.
220 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
1.6 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
25 µA
- Q(G)
2.5 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
4.5 V
- C(ISS)
290 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
100 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 161183 Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRLML0100TRPBF, SOT-23, kanał N
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 161183 Tranzystor unipolarny (MOSFET) International Rectifier IRLML0100TRPBF, SOT-23, kanał N
Opis
Infineon Technologies IRLML0100TRPBF |