Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Triak NXP BT 136-800 E, TO 220 AB, I(GT) min. 10 mA, I(T) RMS 4 A, U(DRM) 800 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tyrystor (SCR) - TRIAC
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
U(DRM)
800 V
I(T)(RMS)
4 A
Prąd I(H)
15 mA
Karta katalogowa (PDF)
209 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
2
-
8,61 zł
6
7% = 0,61 zł
8,00 zł
10
10% = 0,89 zł
7,72 zł
20
12% = 1,07 zł
7,54 zł
40
15% = 1,28 zł
7,33 zł
80
17% = 1,50 zł
7,11 zł
200
20% = 1,76 zł
6,85 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 2
Suma (8,61 zł / Sztuka)
17,22 zł
10,59 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
Triak NXP BT
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BT136-800E,127
- Rodzaj produktu
Tyrystor (SCR) - TRIAC
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
NXP Semiconductors
- Kod producenta
NXP
- U(DRM)
800 V
- Napięcie zapłonowe U(GT)
1.5 V
- Prąd zapłonu I(GT)
10 mA
- I(T)(RMS)
4 A
- Prąd I(H)
15 mA
- I(TSM 50 Hz)
25 A
- I(TSM 60 Hz)
27 A
- Szybkość narastania prądu przewodzenia di(T)/dt
50 A/µs
- Temperatura pracy (maks.)
+125 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Typ
BT136-800E
- Rodzaj obudowy
TO-220AB
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 151644 Triak NXP BT 136-800 E, TO 220 AB, I(GT) min. 10 mA, I(T) RMS 4 A, U(DRM) 800 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 151644 Triak NXP BT 136-800 E, TO 220 AB, I(GT) min. 10 mA, I(T) RMS 4 A, U(DRM) 800 V
Opis
NXP Semiconductors | BT136-800E symistory;