Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Układ scalony liniowy Texas Instruments TL072IDR, typ obudowy: SOIC-8
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Układ scalony liniowy - wzmacniacz operacyjne
Typ obudowy półprzewodnika
SOIC-8
Typ wzmacniacza
J-FET
Dostarczane napięcie maksymalne
+36 V
Wzmocnienia przepustowość produktu
3 MHz
Karta katalogowa (PDF)
2057 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
1
-
0,99 zł
30
6% = 0,06 zł
0,93 zł
50
13% = 0,13 zł
0,86 zł
100
15% = 0,15 zł
0,84 zł
200
18% = 0,18 zł
0,81 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Suma (0,99 zł / Sztuka)
0,99 zł
1,22 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
14 dni na zwrot w cenie
Cechy produktu
Układ scalony - wzmacniacz operacyjny
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
TL072IDR
- Rodzaj produktu
Układ scalony liniowy - wzmacniacz operacyjne
- Typ obudowy półprzewodnika
SOIC-8
- Producent
Texas Instruments
- Kod producenta
TID
- Typ wzmacniacza
J-FET
- Ilość zintegrowanych obwodów
2
- Pobór prądu
1.4 mA
- Minimalna temperatura robocza
-40 °C
- Temperatura pracy (maks.)
+85 °C
- Napięcie zasilania indywidualnie min.
+7 V
- Dostarczane napięcie maksymalne
+36 V
- Napięcie zasilania podwojone min.
-3.5 V
+3.5 V
- Napięcie zasilania podwójne max.
+18 V
- Napięcie wejściowe (offset)
3 mV
- Kompensacja prądu wejściowego
65 pA
- Szybkość narastania
13 V/µs
- Wzmocnienia przepustowość produktu
3 MHz
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 1072245 Układ scalony liniowy Texas Instruments TL072IDR, typ obudowy: SOIC-8
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1072245 Układ scalony liniowy Texas Instruments TL072IDR, typ obudowy: SOIC-8
Opis
Zintegrowane obwody elektryczne wiodących producentów. Jak zwykle należy zwrócić uwagę na naszą obszerną dokumentację, która jest udostępniona do bezpłatnego ściągnięcia.