Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
Wykonanie
Kanał-P
Moc (maks) P(TOT)
1.7 W
R(DS) wł.
345 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
2843 Sztuki (Tylko do wyczerpania zapasów)
Liczba
Suma (0,56 zł / Sztuka)
2,91 zł
-81 %
0,56 zł
0,69 zł
z VAT (klient indywidualny)
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
SI2309CDS-T1-GE3
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
- Producent
Vishay
- Kod producenta
VIS
- Wykonanie
Kanał-P
- I(d)
1.6 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
1.7 W
- R(DS) wł.
345 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
1.25 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
4.1 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
4.5 V
- C(ISS)
210 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
30 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
TrenchFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
60 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 597301 Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 597301 Vishay SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET
Opis
Vishay SI2309CDS-T1-GE3 |