• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

Diotec DI2579N Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-223
Wykonanie
NPN
Prąd kolektora I(C)
1000 mA
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
700 V
Karta katalogowa (PDF)
Numer producenta
Numer produktu
Dostawa w pon. 25.01.2027

Liczba
Min.: 100
Suma (1,05 zł / Sztuka)
1,05 zł
0,85 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

Tranzystor (BJT) - dykretny

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

DI2579N

Rodzaj produktu

Tranzystor (BJT) - dykretny

Typ obudowy półprzewodnika

SOT-223

Producent

Diotec

Wykonanie

NPN

Prąd kolektora I(C)

1000 mA

Napięcie kolektor - emiter U(CEO)

700 V

Saturacja VCE (maks.)

1000 mV

Moc (maks) P(TOT)

1.25 W

Wzmocnienie DC (hFE)

20

Częstotliwość przejść f(T)

0 MHz

Sposób montażu

montaż na powierzchni

Zgodne z RoHS

Tak

Zawartość

1 szt.

Temperatura pracy (maks.)

150 °C

UKCA

tak

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 2809617 Diotec DI2579N Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt.

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)