Tranzysor IGBT Infineon Technologies FP25R12W2T4BOMA1 N/A N/A | Conrad Electronic

Biały element elektroniczny z wieloma metalowymi stykami na górnej powierzchni oraz dwoma bocznymi uchwytami montażowymi.

Zdjęcie poglądowe

Biały element elektroniczny z wieloma metalowymi stykami na górnej powierzchni oraz dwoma bocznymi uchwytami montażowymi.

Zdjęcie poglądowe

Opakowanie

towar pakowany luzem

Rodzaj produktu

IGBT - moduł

Prąd kolektora I(C)

39 A

Sposób montażu

podwozie

Model katalogowy producenta

FP25R12W2T4BOMA1

Karta katalogowa (PDF)

English

Infineon Technologies

Dostawa w śr. 29.07

9 Sztuki

Liczba

Sztuki

Suma (226,83 zł / Sztuka)

226,83 zł

279,00 zł

z VAT (klient indywidualny)

Cena netto

Dostępnych jest tylko 9 sztuka

Zgłoś wątpliwości prawne

Cechy produktu

Tranzysor IGBT

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

(UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V
(ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 50 A

Opakowanie: towar pakowany luzem

Model katalogowy producenta: FP25R12W2T4BOMA1

Rodzaj produktu: IGBT - moduł

Producent: Infineon Technologies

Napięcie kolektora-emitera U(CES): 1200 V

Prąd kolektora I(C): 39 A

Czas opóźnienia t(d)(on): 26 ns

Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 190 ns

Sposób montażu: podwozie

Do pobrania

Karta katalogowa

English

Karta katalogowa 3027162 Tranzysor IGBT Infineon Technologies FP25R12W2T4BOMA1 N/A N/A