Tranzysor IGBT Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
taśma na dużej rolce
Rodzaj produktu
IGBT
Typ obudowy półprzewodnika
TO-263
Prąd kolektora I(C)
60 A
Sposób montażu
montaż na powierzchni
Karta katalogowa (PDF)
1360 Sztuki
Liczba
Min.: 5
Vielfache: 5
Tape on Full reel
Sztuki (zawartość: )
Sztuki (zawartość: )
Suma (10,80 zł / Sztuka)
54,00 zł
13,28 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Cechy produktu
Tranzysor IGBT
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,1 V
- (ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 120 A
- Opakowanie
taśma na dużej rolce
- Model katalogowy producenta
IGB30N60H3ATMA1
- Rodzaj produktu
IGBT
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-263
- Producent
Infineon Technologies
- Napięcie kolektora-emitera U(CES)
600 V
- Prąd kolektora I(C)
60 A
- Czas opóźnienia t(d)(on)
18 ns
- Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2)
239 ns
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027151 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027151 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1 N/A N/A