Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 N/A N/A
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
IGBT
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
Prąd kolektora I(C)
62 A
Sposób montażu
do montażu w otworach
Karta katalogowa (PDF)
25 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
5
-
15,44 zł
15
8% = 1,16 zł
14,28 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 5
Vielfache: 5
Suma (15,44 zł / Sztuka)
16,25 zł
-5 %
77,20 zł
18,99 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cechy produktu
Tranzysor IGBT
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 4,0 V
- (ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 120 A
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
IKW30N65ES5XKSA1
- Rodzaj produktu
IGBT
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
- Producent
Infineon Technologies
- Napięcie kolektora-emitera U(CES)
650 V
- Prąd kolektora I(C)
62 A
- Czas opóźnienia t(d)(on)
16 ns
- Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2)
133 ns
- Sposób montażu
do montażu w otworach
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027192 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 N/A N/A