Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
IGBT
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
Prąd kolektora I(C)
62 A
Sposób montażu
do montażu w otworach
Karta katalogowa (PDF)
10 Sztuki
Liczba
Min.: 5
Vielfache: 5
Suma (16,41 zł / Sztuka)
82,05 zł
20,18 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Dostępnych jest tylko 10 sztuka
Cechy produktu
Tranzysor IGBT
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 4,0 V
- (ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 120 A
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
IKW30N65ES5XKSA1
- Rodzaj produktu
IGBT
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
- Producent
Infineon Technologies
- Napięcie kolektora-emitera U(CES)
650 V
- Prąd kolektora I(C)
62 A
- Czas opóźnienia t(d)(on)
16 ns
- Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2)
133 ns
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- UKCA
tak
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027192 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027192 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 N/A N/A