Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW30N65H5XKSA1 N/A N/A | Conrad Electronic

Tranzystor z trzema metalowymi nóżkami. Na górnej części widoczne są oznaczenia '10', 'D' oraz opis 'K25T120 GAG825'.

Zdjęcie poglądowe

Tranzystor z trzema metalowymi nóżkami. Na górnej części widoczne są oznaczenia '10', 'D' oraz opis 'K25T120 GAG825'.

Zdjęcie poglądowe

Opakowanie

tuba

Rodzaj produktu

IGBT

Typ obudowy półprzewodnika

TO-247

Prąd kolektora I(C)

55 A

Sposób montażu

do montażu w otworach

Karta katalogowa (PDF)

English

Infineon Technologies

Dostawa w pt. 25.09

9 Sztuki

Liczba

Sztuki

Suma (21,05 zł / Sztuka)

21,05 zł

25,89 zł

z VAT (klient indywidualny)

Cena netto

Dostępnych jest tylko 9 sztuka

Zgłoś wątpliwości prawne

Cechy produktu

Tranzysor IGBT

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

(UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 34,0 V
(ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 90 A

Opakowanie: tuba

Model katalogowy producenta: IKW30N65H5XKSA1

Rodzaj produktu: IGBT

Typ obudowy półprzewodnika: TO-247

Producent: Infineon Technologies

Napięcie kolektora-emitera U(CES): 650 V

Prąd kolektora I(C): 55 A

Czas opóźnienia t(d)(on): 20 ns

Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 190 ns

Sposób montażu: do montażu w otworach

Do pobrania

Karta katalogowa

English

Karta katalogowa 3027193 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW30N65H5XKSA1 N/A N/A

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027193 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW30N65H5XKSA1 N/A N/A