Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW40N120H3FKSA1 N/A N/A | Conrad Electronic

Element elektroniczny, prawdopodobnie tranzystor lub MOSFET, z trzema metalowymi nóżkami od spodu i czarną plastikową powierzchnią od góry.

Zdjęcie poglądowe

Element elektroniczny, prawdopodobnie tranzystor lub MOSFET, z trzema metalowymi nóżkami od spodu i czarną plastikową powierzchnią od góry.

Zdjęcie poglądowe

Opakowanie

tuba

Rodzaj produktu

IGBT

Typ obudowy półprzewodnika

TO-247

Prąd kolektora I(C)

80 A

Sposób montażu

do montażu w otworach

Karta katalogowa (PDF)

English

Infineon Technologies

38 Sztuki

Ilość (sztuka)

Oszczędzasz

Cena opakowania (Cena netto)

Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy

Oszczędzasz 0,00 zł

Liczba

Sztuki

Suma (28,93 zł / Sztuka)

zł

35,58 zł

z VAT (klient indywidualny)

Zgłoś wątpliwości prawne

Dane techniczne

(UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V
(ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 160 A

Opakowanie: tuba

Model katalogowy producenta: IKW40N120H3FKSA1

Rodzaj produktu: IGBT

Typ obudowy półprzewodnika: TO-247

Producent: Infineon Technologies

Napięcie kolektora-emitera U(CES): 1200 V

Prąd kolektora I(C): 80 A

Czas opóźnienia t(d)(on): 30 ns

Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 290 ns

Sposób montażu: do montażu w otworach

Do pobrania

Karta katalogowa

English

Karta katalogowa 3027194 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKW40N120H3FKSA1 N/A N/A