Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzysor IGBT Infineon Technologies IGW50N65H5FKSA1 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Opakowanie
tuba
Rodzaj produktu
IGBT
Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
Prąd kolektora I(C)
80 A
Sposób montażu
do montażu w otworach
Karta katalogowa (PDF)
103 Sztuki
Liczba
Suma (15,03 zł / Sztuka)
15,03 zł
18,49 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Cechy produktu
Tranzysor IGBT
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 4,0 V
- (ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 150 A
- Opakowanie
tuba
- Model katalogowy producenta
IGW50N65H5FKSA1
- Rodzaj produktu
IGBT
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-247
- Producent
Infineon Technologies
- Napięcie kolektora-emitera U(CES)
650 V
- Prąd kolektora I(C)
80 A
- Czas opóźnienia t(d)(on)
21 ns
- Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2)
180 ns
- Sposób montażu
do montażu w otworach
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3027176 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IGW50N65H5FKSA1 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3027176 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IGW50N65H5FKSA1 N/A N/A