Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
IGBT
Typ obudowy półprzewodnika
TO-252-3
Prąd kolektora I(C)
6.5 A
Moc (maks) P(TOT)
53.6 W
Sposób montażu
montaż na powierzchni
Karta katalogowa (PDF)
2500 Sztuki
Liczba
Min.: 5
Vielfache: 5
Suma (4,96 zł / Sztuka)
24,80 zł
6,10 zł
z VAT (klient indywidualny)
Cena netto
Cechy produktu
Tranzysor IGBT
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IKD03N60RFATMA1
- Rodzaj produktu
IGBT
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-252-3
- Producent
Infineon Technologies
- Napięcie kolektora-emitera U(CES)
600 V
- Prąd kolektora I(C)
6.5 A
- Moc (maks) P(TOT)
53.6 W
- Rodzaj wejścia
Standardowa
- Odwrócony czas odzyskiwania T(rr)
31 ns
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 3028386 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 3028386 Tranzysor IGBT Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 N/A N/A