Zdjęcie poglądowe
Tranzystor mocy Darlington ON Semiconductor MJ11016G NPN Rodzaj obudowy TO-3 N/A N/A
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-3
Wykonanie
NPN - Darlington
Prąd kolektora I(C)
30 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
120 V
Karta katalogowa (PDF)
134 Sztuki
Liczba
Suma
28,93 zł
Cena netto
35,58 zł
z VAT (klient indywidualny)