
Zdjęcie poglądowe
MJ11016G
Tranzystor (BJT) - dykretny
TO-3
ON Semiconductor
OnS
1
NPN - Darlington
30 A
120 V
4 V
1 mA
200 W
1000
20 A
5 V
4 MHz
do montażu w otworach
1 szt.
NPN
MJ11016G
TO-3
Karta katalogowa 151307 Tranzystor mocy Darlington ON Semiconductor MJ11016G NPN Rodzaj obudowy TO-3 N/A N/A
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 151307 Tranzystor mocy Darlington ON Semiconductor MJ11016G NPN Rodzaj obudowy TO-3 N/A N/A
56,02 zł*
Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria