Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF610
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
36 W
R(DS) wł.
1.5 Ω
Karta katalogowa (PDF)
224 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
4,96 zł
9
7% = 0,35 zł
4,61 zł
15
10% = 0,51 zł
4,45 zł
30
13% = 0,62 zł
4,34 zł
60
15% = 0,73 zł
4,23 zł
120
18% = 0,87 zł
4,09 zł
300
21% = 1,02 zł
3,94 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (4,96 zł / Sztuka)
zł
6,10 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRF610PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Vishay
- Kod producenta
VIS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
3.3 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
200 V
- Moc (maks) P(TOT)
36 W
- R(DS) wł.
1.5 Ω
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
2 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
8.2 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
140 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
200 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRF610
- Opis
200 V/3.3 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162414 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF610
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162414 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF610
Opis
Vishay IRF610 | Tranzystory MOSFET są elementami sterowanymi napięciowo i mogą być podłączane bezpośrednio do wielkooporowych źródeł. Dlatego nadają się do stosowania jako przełączniki lub wzmacniacze analogowe. Uwaga: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.