Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
MOSFET ON Semiconductor BS170-D27Z N/A N/A BS170-D27Z
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
830 mW
R(DS) wł.
5 Ω
252 Sztuki
Czy Twoje potrzeby wykraczają poza ten zakres?
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
15
-
0,83 zł
45
6% = 0,05 zł
0,78 zł
75
13% = 0,11 zł
0,72 zł
150
14% = 0,12 zł
0,71 zł
300
18% = 0,15 zł
0,68 zł
600
20% = 0,17 zł
0,66 zł
1500
25% = 0,21 zł
0,62 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 15
Suma (0,83 zł / Sztuka)
zł
1,02 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BS170-D27Z
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-92-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
500 mA
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
830 mW
- R(DS) wł.
5 Ω
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
200 mA
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
1 mA
- C(ISS)
40 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
10 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
60 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1263060 MOSFET ON Semiconductor BS170-D27Z N/A N/A BS170-D27Z
Opis
ON Semiconductor | BS170_D27Z