Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF 1010 E, kanał N, TO 220

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1404

Numer produktu162372

TO-220AB

4 V

121 A

4 mΩ

40 V

333 W

5669 pF

do montażu w otworach

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1405

Numer produktu162375

TO-220

4 V

101 A

5.3 mΩ

55 V

330 W

5480 pF

do montażu w otworach

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF3415

Numer produktu162384

TO-220

4 V

22 A

42 mΩ

150 V

200 W

2400 pF

do montażu w otworach

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF3708

Numer produktu162394

TO-220

2 V

15 A

12 mΩ

30 V

87 W

2417 pF

do montażu w otworach

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF710

Numer produktu162429

TO-220AB

4 V

1.2 A

3.6 Ω

400 V

36 W

170 pF

do montażu w otworach

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF830

Numer produktu162522

TO-220AB

4 V

2.7 A

1.5 Ω

500 V

74 W

610 pF

do montażu w otworach

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF840A

Numer produktu162527

TO-220AB

4 V

4.8 A

850 mΩ

500 V

125 W

1018 pF

do montażu w otworach

Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF 1404 Z, kanał N, TO 220 AB

Numer produktu164331

TO-220AB

4 V

75 A

3.7 mΩ

40 V

200 W

4340 pF

do montażu w otworach

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRF1405Z

Numer produktu164334

TO-220AB

4 V

75 A

4.9 mΩ

55 V

230 W

4780 pF

do montażu w otworach

Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF 1010 E, kanał N, TO 220

Liczba

Dane techniczne

Warianty(Wszystkie ceny nie zawierają podatku VAT, bez kosztów dostawy)

Do pobrania

Karta katalogowa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Opis

Opis

Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET: