Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor bipolarny BD 649, NPN, TO 220, I(C) 12 A, U(CEO 100 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
NPN - Darlington
Prąd kolektora I(C)
8 A
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
100 V
Karta katalogowa (PDF)
3062 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
5
-
2,53 zł
15
7% = 0,18 zł
2,35 zł
25
10% = 0,26 zł
2,27 zł
50
13% = 0,32 zł
2,21 zł
100
15% = 0,38 zł
2,15 zł
200
17% = 0,44 zł
2,09 zł
500
21% = 0,52 zł
2,01 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 5
Suma (2,53 zł / Sztuka)
zł
3,11 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
BDX53C
- Rodzaj produktu
Tranzystor (BJT) - dykretny
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
- Producent
STMicroelectronics
- Kod producenta
STM
- Ilość kanałów
1
- Wykonanie
NPN - Darlington
- Prąd kolektora I(C)
8 A
- Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
100 V
- Saturacja VCE (maks.)
2 V
- Prąd upływu kolektora I(CES)
500 µA
- Moc (maks) P(TOT)
60 W
- Wzmocnienie DC (hFE)
750
- Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
3 A
- Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
3 V
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
NPN
- Typ
BDX53C
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 168106 Tranzystor bipolarny BD 649, NPN, TO 220, I(C) 12 A, U(CEO 100 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 168106 Tranzystor bipolarny BD 649, NPN, TO 220, I(C) 12 A, U(CEO 100 V
Opis
STMicroelectronics BDX53C |