Zdjęcie poglądowe
Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
1.66 W
R(DS) wł.
156 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Suma (2,94 zł / Sztuka)
2,94 zł
2,39 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Cena brutto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
SI2308BDS-T1-GE3
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
- Producent
Vishay
- Kod producenta
VIS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
2.3 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
1.66 W
- R(DS) wł.
156 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
1.9 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
6.8 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
190 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
30 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
TrenchFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
60 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET
Opis
Vishay SI2308BDS-T1-GE3 |
Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:
Akcesoria
(* Podane ceny są cenami netto)Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria
Conrad Electronic
2,71 zł*
Ostatnio oglądane
(* Podane ceny są cenami netto)
Conrad Electronic
5,26 zł*
Conrad Electronic
0,60 zł*
Conrad Electronic
11,49 zł*
Conrad Electronic
11,79 zł*
Conrad Electronic
2,22 zł*
Conrad Electronic
4,07 zł*
Conrad Electronic
6,63 zł*
Conrad Electronic
14,19 zł*
10,59 zł*
Conrad Electronic
3,46 zł*
Conrad Electronic
7,44 zł*
8,16 zł*
15,19 zł*
Conrad Electronic
6,84 zł*
