Zdjęcie poglądowe
MOSFET ON Semiconductor FDP150N10 N/A N/A FDP150N10
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
110 W
R(DS) wł.
15 mΩ
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Suma (12,89 zł / Sztuka)
12,89 zł
10,48 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Cena brutto
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie
Cechy produktu
MOSFET
Dodatkowe informacje:
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
FDP150N10
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220-3
- Producent
ON Semiconductor
- Kod producenta
OnS
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
57 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
100 V
- Moc (maks) P(TOT)
110 W
- R(DS) wł.
15 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
49 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4.5 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
69 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
4760 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
PowerTrench®
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
100 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
Do pobrania
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1263790 MOSFET ON Semiconductor FDP150N10 N/A N/A FDP150N10
Opis
ON Semiconductor | FDP150N10
Często wyszukiwane Tranzystory polowe MOSFET:
Akcesoria
(* Podane ceny są cenami netto)Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria
Conrad Electronic
2,71 zł*