• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

MOSFET ON Semiconductor FDP80N06 N/A N/A FDP80N06

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
176 W
R(DS) wł.
10 mΩ
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Dostawa w wt. 10.11

4 Sztuki

Liczba
Suma (4,19 zł / Sztuka)
4,19 zł
3,41 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
Dostępnych jest tylko 4 sztuka
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

MOSFET

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

FDP80N06

Rodzaj produktu

MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika

TO-220-3

Producent

ON Semiconductor

Kod producenta

OnS

Wykonanie

Kanał-N

I(d)

80 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS)

60 V

Moc (maks) P(TOT)

176 W

R(DS) wł.

10 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on)

40 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)

250 µA

Q(G)

74 nC

Napięcie odniesienia Q(G)

10 V

C(ISS)

3190 pF

Napięcie odniesienia C(ISS)

25 V

Minimalna temperatura robocza

-55 °C

Sposób montażu

do montażu w otworach

Seria (elementu półprzewodnikowego)

UniFET™

Temperatura pracy (maks.)

+175 °C

Cecha tranzystora

standardowy

U(DSS)

60 V

Ilość kanałów

1

Zawartość

1 szt.

Do pobrania

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1263824 MOSFET ON Semiconductor FDP80N06 N/A N/A FDP80N06

Opis

ON Semiconductor | FDP80N06

Często kupowane razem

(* Podane ceny są cenami netto)
Suma:

17,74 zł*

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)