• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

MOSFET ON Semiconductor FDP51N25 N/A N/A FDP51N25

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
320 W
R(DS) wł.
60 mΩ
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Dostawa w wt. 17.11

740 Sztuki

Liczba
Min.: 10
Suma (12,99 zł / Sztuka)
12,99 zł
10,56 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

MOSFET

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

FDP51N25

Rodzaj produktu

MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika

TO-220-3

Producent

ON Semiconductor

Kod producenta

OnS

Wykonanie

Kanał-N

I(d)

51 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS)

250 V

Moc (maks) P(TOT)

320 W

R(DS) wł.

60 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on)

25.5 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

5 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)

250 µA

Q(G)

70 nC

Napięcie odniesienia Q(G)

10 V

C(ISS)

3410 pF

Napięcie odniesienia C(ISS)

25 V

Minimalna temperatura robocza

-55 °C

Sposób montażu

do montażu w otworach

Seria (elementu półprzewodnikowego)

UniFET™

Temperatura pracy (maks.)

+150 °C

Cecha tranzystora

standardowy

U(DSS)

250 V

Ilość kanałów

1

Zawartość

1 szt.

Do pobrania

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1263812 MOSFET ON Semiconductor FDP51N25 N/A N/A FDP51N25

Opis

ON Semiconductor | FDP51N25

Często kupowane razem

(* Podane ceny są cenami netto)
Suma:

143,45 zł*

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)