• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

MOSFET ON Semiconductor FDC3512 N/A N/A FDC3512

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-6
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
800 mW
R(DS) wł.
77 mΩ
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Niedostępne


Suma (4,29 zł / Sztuka)
4,29 zł
3,49 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

MOSFET

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

FDC3512

Rodzaj produktu

MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika

SOT-23-6

Producent

ON Semiconductor

Kod producenta

OnS

Wykonanie

Kanał-N

I(d)

3 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS)

80 V

Moc (maks) P(TOT)

800 mW

R(DS) wł.

77 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on)

3 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)

250 µA

Q(G)

18 nC

Napięcie odniesienia Q(G)

10 V

C(ISS)

634 pF

Napięcie odniesienia C(ISS)

40 V

Minimalna temperatura robocza

-55 °C

Sposób montażu

montaż na powierzchni

Seria (elementu półprzewodnikowego)

PowerTrench®

Temperatura pracy (maks.)

+150 °C

Cecha tranzystora

standardowy

U(DSS)

80 V

Ilość kanałów

1

Zawartość

1 szt.

Do pobrania

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1263334 MOSFET ON Semiconductor FDC3512 N/A N/A FDC3512

Opis

ON Semiconductor | FDC3512

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)