• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

ON Semiconductor FDV301N N/A N/A FDV301N

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23-3
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
350 mW
R(DS) wł.
4 Ω
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Dostawa w czw. 5.11

40 Sztuki

Liczba
Min.: 15
Suma (0,64 zł / Sztuka)
0,64 zł
0,52 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

FDV301N

Rodzaj produktu

MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika

SOT-23-3

Producent

ON Semiconductor

Kod producenta

OnS

Wykonanie

Kanał-N

I(d)

220 mA

Napięcie niszczące U(BR) (DSS)

25 V

Moc (maks) P(TOT)

350 mW

R(DS) wł.

4 Ω

Natężenie odniesienia R(DS)(on)

400 mA

Napięcie odniesienia R(DS)(on)

4.5 V

U(GS)(th) max.

1.06 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)

250 µA

Q(G)

0.7 nC

Napięcie odniesienia Q(G)

4.5 V

C(ISS)

9.5 pF

Napięcie odniesienia C(ISS)

10 V

Minimalna temperatura robocza

-55 °C

Sposób montażu

montaż na powierzchni

Temperatura pracy (maks.)

+150 °C

Cecha tranzystora

Poziom bramki logicznej

U(DSS)

25 V

Ilość kanałów

1

Zawartość

1 szt.

Do pobrania

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 1264012 ON Semiconductor FDV301N N/A N/A FDV301N

Opis

ON Semiconductor | FDV301N

Często kupowane razem

(* Podane ceny są cenami netto)
Suma:

23,15 zł*

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)