• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFI730GPBF

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
35 W
R(DS) wł.
1 Ω
Karta katalogowa (PDF)
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Niedostępne


Suma (11,49 zł / Sztuka)
11,49 zł
9,34 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

Tranzystor FET

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

IRFI730GPBF

Rodzaj produktu

MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika

TO-220

Producent

Infineon Technologies

Kod producenta

INF

Wykonanie

Kanał-N

I(d)

3.7 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS)

400 V

Moc (maks) P(TOT)

35 W

R(DS) wł.

1 Ω

Natężenie odniesienia R(DS)(on)

2.1 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)

250 µA

Q(G)

38 nC

Napięcie odniesienia Q(G)

10 V

C(ISS)

700 pF

Napięcie odniesienia C(ISS)

25 V

Minimalna temperatura robocza

-55 °C

Sposób montażu

do montażu w otworach

Temperatura pracy (maks.)

+150 °C

Cecha tranzystora

standardowy

U(DSS)

400 V

Ilość kanałów

1

Zawartość

1 szt.

Specyfikacja

Kanał N

Typ

IRFI730GPBF

Opis

400 V/3,7 A

Rodzaj obudowy

TO-220

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 162606 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFI730GPBF

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162606 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFI730GPBF

Opis

Infineon Technologies IRFI730GPBF |

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria