Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFZ14PBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
HEXFET
Moc (maks) P(TOT)
43 W
R(DS) wł.
200 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
Pokaż produkty alternatywne
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
2
-
3,15 zł
6
7% = 0,22 zł
2,93 zł
10
10% = 0,33 zł
2,82 zł
20
12% = 0,39 zł
2,76 zł
40
15% = 0,47 zł
2,68 zł
80
18% = 0,56 zł
2,59 zł
200
21% = 0,65 zł
2,50 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Suma (3,15 zł / Sztuka)
zł
3,87 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFZ14PBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
HEXFET
- I(d)
10 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
60 V
- Moc (maks) P(TOT)
43 W
- R(DS) wł.
200 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
6 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
11 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
300 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
60 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
HEXFET
- Typ
IRFZ14PBF
- Opis
60 V/10 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162737 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFZ14PBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162737 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFZ14PBF
Opis
Infineon Technologies IRFZ14PBF |