Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRFZ 34 N, TO 220, I(D) 26 A, U(DS) 55 V
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
68 W
R(DS) wł.
40 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
428 Sztuki
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
3
-
3,49 zł
9
7% = 0,25 zł
3,24 zł
15
10% = 0,36 zł
3,13 zł
30
12% = 0,43 zł
3,06 zł
60
15% = 0,52 zł
2,97 zł
120
17% = 0,61 zł
2,88 zł
300
21% = 0,72 zł
2,77 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 3
Suma (3,49 zł / Sztuka)
zł
4,29 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRFZ34NPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
29 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
55 V
- Moc (maks) P(TOT)
68 W
- R(DS) wł.
40 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
16 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
34 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
- C(ISS)
700 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
do montażu w otworach
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+175 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
55 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRFZ34NPBF
- Opis
55 V / 26 A
- Rodzaj obudowy
TO-220
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162742 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRFZ 34 N, TO 220, I(D) 26 A, U(DS) 55 V
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162742 Tranzystor MOSFET International Rectifier IRFZ 34 N, TO 220, I(D) 26 A, U(DS) 55 V
Opis
Infineon Technologies IRFZ34NPBF |