• Platform for Everything Technical
  • Szybka dostawa
  • Szeroki wybór usług i produktów
  • Gwarantowana możliwość zwrotu

Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET

Zdjęcie poglądowe
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOIC-8
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
3.7 W
R(DS) wł.
41 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Niedostępne


Suma (8,54 zł / Sztuka)
8,54 zł
6,94 zł
bez VAT (klient biznesowy)
Wewnątrzwspólnotowa dostawa towarów Cena brutto 
bez 19,99 zł 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
bez dodatkowych kosztów dostawy 
14-dniowe prawo do zwrotu w cenie

Cechy produktu

MOSFET

Dodatkowe informacje:

Dane techniczne

Model katalogowy producenta

SI4946BEY-T1-E3

Rodzaj produktu

MOSFET

Typ obudowy półprzewodnika

SOIC-8

Producent

Vishay

Kod producenta

VIS

Wykonanie

Kanał-N

I(d)

6.5 A

Napięcie niszczące U(BR) (DSS)

60 V

Moc (maks) P(TOT)

3.7 W

R(DS) wł.

41 mΩ

Natężenie odniesienia R(DS)(on)

5.3 A

Napięcie odniesienia R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

3 V

Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)

250 µA

Q(G)

25 nC

Napięcie odniesienia Q(G)

10 V

C(ISS)

840 pF

Napięcie odniesienia C(ISS)

30 V

Minimalna temperatura robocza

-55 °C

Sposób montażu

montaż na powierzchni

Seria (elementu półprzewodnikowego)

TrenchFET®

Temperatura pracy (maks.)

+175 °C

Cecha tranzystora

Poziom bramki logicznej

U(DSS)

60 V

Ilość kanałów

2

Zawartość

1 szt.

Do pobrania

Karta katalogowa

Karta katalogowa 597347 Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa

Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 597347 Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET

Opis

Vishay SI4946BEY-T1-E3 |

Akcesoria

(* Podane ceny są cenami netto)

Do korzystania z produktu zgodnie z przeznaczeniem wymagane są niezbędne akcesoria

Ostatnio oglądane

(* Podane ceny są cenami netto)