Zdjęcie poglądowe
Zdjęcie poglądowe
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRLML2502TRPBF
EAN:
Numer producenta
Numer produktu
Rodzaj produktu
MOSFET
Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
Wykonanie
Kanał-N
Moc (maks) P(TOT)
1.25 W
R(DS) wł.
45 mΩ
Karta katalogowa (PDF)
916 Sztuki
Czy Twoje potrzeby wykraczają poza ten zakres?
Ilość (sztuka)
Oszczędzasz
Cena opakowania (Cena netto)
15
-
0,97 zł
45
6% = 0,06 zł
0,91 zł
75
12% = 0,12 zł
0,85 zł
150
15% = 0,15 zł
0,82 zł
300
18% = 0,17 zł
0,80 zł
600
22% = 0,21 zł
0,76 zł
1500
26% = 0,25 zł
0,72 zł
Rabaty ilościowe różnią się w zależności od sprzedawcy
Oszczędzasz 0,00 zł
Liczba
Min.: 15
Suma (0,97 zł / Sztuka)
zł
1,19 zł
z VAT (klient indywidualny)
Dane techniczne
- Model katalogowy producenta
IRLML2502TRPBF
- Rodzaj produktu
MOSFET
- Typ obudowy półprzewodnika
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Kod producenta
INF
- Wykonanie
Kanał-N
- I(d)
4.2 A
- Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
20 V
- Moc (maks) P(TOT)
1.25 W
- R(DS) wł.
45 mΩ
- Natężenie odniesienia R(DS)(on)
4.2 A
- Napięcie odniesienia R(DS)(on)
4.5 V
- U(GS)(th) max.
1.2 V
- Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
- Q(G)
12 nC
- Napięcie odniesienia Q(G)
5 V
- C(ISS)
740 pF
- Napięcie odniesienia C(ISS)
15 V
- Minimalna temperatura robocza
-55 °C
- Sposób montażu
montaż na powierzchni
- Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
- Temperatura pracy (maks.)
+150 °C
- Cecha tranzystora
standardowy
- U(DSS)
20 V
- Ilość kanałów
1
- Zawartość
1 szt.
- Specyfikacja
Kanał N
- Typ
IRLML2502TRPBF
- Opis
20 V/4.2 A
- Rodzaj obudowy
Micro3
Do pobrania
Karta katalogowa
Karta katalogowa 162827 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRLML2502TRPBF
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa
Instrukcje obsługi i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa 162827 Tranzystor FET 2N International Rectifier IRLML2502TRPBF
Opis
Infineon Technologies IRLML2502TRPBF |