Tranzystory Polowe Mosfet

Ich zdolność do zmiany przewodnictwa wraz z poziomem przyłożonego napięcia może być wykorzystywana do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Ostatecznie, unipolarny tranzystor MOSFET jest rezystorem, którym można sterować za pomocą napięcia. W porównaniu do tranzystora bipolarnego, nie wymaga on prawie żadnego prądu wejściowego do sterowania prądem obciążenia, co jest jedną z największych zalet tego komponentu..

Termin "Metal-Oxide-Semiconductor " (MOS) zazwyczaj odnosi się do metalowej płytki, izolacji tlenkowej i półprzewodnika, zwykle krzemu..

Jednak metal w MOSFET jest obecnie mylony, ponieważ materiałem bramki może być również warstwa polikrzemu (krzem polikrystaliczny).

Oprócz tlenku można również stosować różne materiały dielektryczne, aby uzyskać wydajne kanały przy niższych napięciach. Kondensator MOS jest również częścią tej struktury.

MOSFET opiera się na kontroli koncentracji nośników ładunku za pomocą kondensatora MOS pomiędzy elektrodami substratu a bramką. Bramka znajduje się na górnej stronie substratu i jest izolowana od wszystkich innych obszarów elementu przez warstwę dielektryczną, na przykład przez dwutlenek krzemu. Gdy do izolacji używa się innych materiałów dielektrycznych niż tlenki, mówi się o tranzystorze polowym metal-izolator-półprzewodnik, skrótowo MISFET. Używana jest również powszechnie akceptowana skrótowa nazwa IGFET dla tranzystora polowego z izolowaną bramką, która obowiązuje dla wszystkich typów.

W porównaniu do czystego kondensatora MOS, MOSFET zawiera dwa dodatkowe połączenia źródła i drenu, z których każde jest przyłączone do obszarów o wysokiej domieszce, oddzielonych obszarem podłoża. Obszary te mogą być typu p lub typu n. Źródło i dren są silnie domieszkowane i są oznaczone w zapisie znakiem "+" po typie domieszkowania.